BTA26 Serie 26A BTA26-600C TO-3PA TRIAC

Name: Triac BTA26-600C TO-3PA 15-30MA
Uploaded: 2024-12-09T06:10:07+08:00
Description: Triac BTA26-600C TO-3PA 15-30MA

$0.71000-4999 Piece/Pieces

$0.55≥5000Piece/Pieces

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Land,Others
порт:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):26A
VDRM:600V
VRRM:600V
VTM:≤1.5V
Tstg:-40~150℃
Tj:-40~125℃
ITSM:260A

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-BTA26-600C

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

IT(RMS): 26A

VDRM: 600V

VRRM: 600V

VTM: ≤1.5V

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 260A

I2t: 350A2s

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. БАСА.
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Triac BTA26-600C TO-3PA 15-30MA



Апісанне Прадукта

BTA26/BTB26SERIES 26A TRIACS

BTA26 Serie 26A BTA26-600C TO-3PA TRIAC

Апісанне:

З высокай здольнасцю супрацьстаяць шокавай нагрузцы вялікага току, трыакацыі BTA26/BTB26 забяспечваюць высокую хуткасць DV/DT з моцнай устойлівасцю да электрамагнітнага інтэрфейсу. З высокімі выступленнямі ў камплекце, 3 квадранты прадуктаў, асабліва рэкамендаваных для выкарыстання пры індуктыўнай нагрузцы. Ад усіх трох тэрміналаў да вонкавага радыятара, BTA26 забяспечвае намінальнае напружанне ізаляцыі 2500 VRMS, якія адпавядаюць стандартам UL

BTA26 Serie 26A BTA26-600C TO-3PA TRIAC

TO-3PA

Асноўныя асаблівасці:

symbol	value	unit
IT(RMS)	26	A
VDRM/VRRM	600/800/1200/1600	V
VTM	≤1.5	V

Абсалютны максімальны рэйтынг:

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800/1200/1600	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800/1200/1600	V
RMS on-state current	IT(RMS)	26	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	260	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	350	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs

Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	10	W

Электрычныя характарыстыкі (TJ = 25 ℃, калі не паказана іншае)

3 квадранты :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3		V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	80	mA
		Ⅰ-Ⅲ		70	90
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	80	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	1000	1500	V/ µs

4 квадранты :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	75	mA
		Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ		70	80
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	90	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	200	500	V/ µs