Высокая хуткасць DV/DT 600V BTA06-600BW 6A TRIAC

Высокая хуткасць DV/DT 600V BTA06-600BW 6A TRIAC

Name: Triac BTA06-600BW TO220 ізаляваны 15-20MA
Uploaded: 2024-12-09T06:11:05+08:00
Description: Triac BTA06-600BW TO220 ізаляваны 15-20MA

$0.115000-49999 Piece/Pieces

$0.09≥50000Piece/Pieces

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Land,Others
порт:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):6A
VDRM:600V
VRRM:600V
VTM:≤1.5V
Tstg:-40~150℃
Tj:-40~125℃

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-BTA06-600BW

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

IT(RMS): 6A

VDRM: 600V

VRRM: 600V

VTM: ≤1.5V

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 60A

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. БАСА.
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Triac BTA06-600BW TO220 ізаляваны 15-20MA



Апісанне Прадукта

BTA06/BTB06 серыя 6а Трыякі

YZPST-BTA06-600BW

Высокая хуткасць DV/DT 600V BTA06-600BW 6A TRIAC

Апісанне:
З высокай здольнасцю супрацьстаяць шокавай нагрузцы вялікага току, трыакацыі BTA06/BTB06 забяспечваюць высокую хуткасць DV/DT з моцнай устойлівасцю да электрамагнітнага інтэрфейсу.
З высокімі выступленнямі ў камплекце, 3 квадранты прадуктаў, асабліва рэкамендаваных для выкарыстання пры індуктыўнай нагрузцы. Ад усіх трох тэрміналаў да вонкавага радыятара, BTA06 забяспечвае намінальнае напружанне ізаляцыі 2500 VRMS, якія адпавядаюць стандартам UL

TO-220

Галоўны Асаблівасці:

symbol	value	unit
IT(RMS)	6	A
VDRM/VRRM	600/800	V
VTM	≤1.5	V

Абсалютны Максімум Рэйтынгі:

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800	V
RMS on-state current	IT(RMS)	6	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	60	A

I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	18	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs
Peak gate current	IGM	2	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	5	W

Электрычныя характарыстыкі (TJ = 25 ℃ , калі не паказана іншае)

3 квадранты :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		TW	SW	CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			5	10	35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.5				V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2				V
IH	IT=100mA		MAX	6	10	35	60	mA
		Ⅰ-Ⅲ		10	15	50	70
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	15	25	60	80	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	50	100	500	1000	V/ µs

4 квадранты :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	40	60	mA
IL	IG=1.2IGT	Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ	MAX	50	70	mA