Высокая здольнасць да перанапружання 400A TG-C Пакет TRIAC TG25C60

Высокая здольнасць да перанапружання 400A TG-C Пакет TRIAC TG25C60

$5100-999 Piece/Pieces

$2.9≥1000Piece/Pieces

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Land,Express,Others
порт:	SHANGHAI

Option:

IT RMS:25A
ITSM:300/330A
I2t:450A2S
PGM:10W
PGAV:1W
IGM:3A

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-BTA25-600BW TG25C60

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

IT RMS: 25A

ITSM: 300/330A

I2t: 450A2S

PGM: 10W

PGAV: 1W

IGM: 3A

VGM: 10V

Di/dt: 50A/μS

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Прыклад малюнка	:
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

TRIAC модуль BTA25-600BW



Апісанне Прадукта

Yzpst-tg25..серы

YZPST-BTA25-600BW TG25C60

Трыяка (Ізаляваны Тып)

Tg25c/e/d з'яўляюцца вылучаны
Кіраванне рухавіком, кіраванне святлом і кантроль абагравальніка.
Гэта av 25a
Высокая здольнасць да перанапружання 400а
Ізаляваны Nounting AC2500V
Тэрміналы ўкладкі

Максімум Ацэнкі

Symbol	Item	Conditions	Ratings	Unit
IT RMS	R.M.S. On-State Current	Tc	25	A
ITSM	Surge On-State Current	One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive	300/330	A
I2t	I2t	Value for one cycle of surge current	450	A2S
PGM	Peak Gate Power Dissipation		10	W
PGAV	Average Gate Power Dissipation		1	W
IGM	Peak Gate Current		3	A
VGM	Peak Gate Voltage		10	V
di/dt	Critical Rate of Rise of On-State Current	IG=100mA,Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/μS	50	A/μS
Tj	Operating Junction Temperature		-25～+125	℃
Tstg	Storage Temperature		-40～+125	℃
VISO	Isolation Breakdown Voltage R.M.S.	A.C. 1 minute	2500	V
	Mounting Torque M4	Recommended Value 1.0 ～1.4（10～14）	14	kgf.CM

Максімум Ацэнкі

TJ = 25 калі не інакш пазначаны

Symbol	Item	Ratings				Unit
Symbol	Item	TG25C60	TG25C80	TG25C100	TG25C12	V
VDRM	Repetitive Peak Off-State Voltage	400	800	1000	1200	V

Электрычныя характарыстыкі

Symbol		Item	Conditions	Ratings	Unit
IDRM		Reptitive Peak Off-State Current, max	VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj=125℃	5	mA
VTM		Peak On-State Voltage, max	On-State Current On-State Current √2X IT (RMS),Inst. measurement	1.4	V
I GT1 +	1	Gate Trigger Current, max	Tj =25℃, IT=1A, VD=6V	50	mA
I GT1 -	2		Tj =25℃, IT=1A, VD=6V	50	mA
I GT3 +	3			-	mA
I GT3 +	4		Tj =25℃, IT=1A, VD=6V	50	mA
V GT1+	1	Gate Trigger Voltage, max	Tj =25℃, IT=1A, VD=6V	3	V
V GT1-	2		Tj =25℃, IT=1A, VD=6V	3	V
V GT3+	3			-	V
V GT3-	4		Tj =25℃, IT=1A, VD=6V	3
VGD		Non-Trigger Gate Voltage, min	Tj =25℃, VD= 1/2VRRM	0.2	V
tgt		Turn On Time, max.	IT=(RMS),IG= 100mA,VD=1/2VDR M,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS	10	V
dv/dt		Critical Rate of Rise on-State Voltage,min.	Tj=25℃,VD=2/3VDRM Exoponential wave.	20	V/μS
(dv/dt) c		Critical Rate of Rise off-State Voltage at commutation, min	Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS	5	V/μS
IH		Holding Current, typ.	Tj =25℃	30	mA
Rth(j-c)		Thermal Impedance, max	Junction to case	1.5	℃/W