TO-3PF 800V BTA41 40A TRIAC

$0.65200-1999 Piece/Pieces

$0.55≥2000Piece/Pieces

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Land,Express,Air
порт:	SHANGHAI

Option:

VDRM:800/1600V
VRRM:800/1600V
IT(RMS):40A
ITSM:400A
Tstg:-40 ~ 150℃
Tj:-40~ 125℃

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-BTA41-800BW 15-25MA

марка: Yzpst

Supply Type: Original Manufacturer, Retailer

Reference Materials: Datasheet, Photo, Other

Configuration: Single

Current-breakdown: Not Applicable

Current-hold (Ih) (maximum): Not Applicable

Current-off State (maximum): Not Applicable

SCR Number, Diode: Not Applicable

Operating Temperature: -40°c ~ 125°c (Tj)

SCR Type: Not Applicable

Structure: Not Applicable

Voltage-on: Not Applicable

Voltage-gate Trigger (Vgt) (maximum): Not Applicable

Current-output (maximum): Not Applicable

VTM: 1.55V

Tstg: -40 ~ 150℃

Tj: -40~ 125℃

VDRM: 800/1600V

VRRM: 800/1600V

Гэта (RMS): 40а

ITSM: 400A

I2t: 880A2S

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. БАСА.
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

YZPST-BTA41-800BW 15-25MA



Апісанне Прадукта

BTA41 Серыя 40A TRIACS YZPST-BTA41-800BW 15-25MA

Апісанне:

Серыя BTA41 TRIAC падыходзіць для ўстаноўкі ўсіх мадэляў кіравання, знойдзеных у такіх прыкладання

Выкарыстоўваючы ўнутраную керамічную пляцоўку, серыя BTA забяспечвае ўкладку напружання (налічваецца AT2500VRMS), якая адпавядае стандартам UL

Галоўны Рысы

Symbol	Value	Unit
IT(RMS)	40	A
VDRM VRRM	800/1600	V
VTM	1.55	V

Абсалютны Максімум Ацэнкі

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40 ~ 150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~ 125	℃
Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)	VDRM	800/1600	V
Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)	VRRM	800/1600	V
RMS on-state current	IT(RMS)	40	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	400	A
I2t value for fusing (tp= 10ms)	I2t	880	A2S
Critical rate of rise of on-state current (I =2×IGT)	dI/dt	50	A/μS
Peak gate current	IGM	8	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W