| тып аплаты: | L/C,T/T,Paypal |
| Інкатэрм: | FOB,CFR,CIF |
| транспарт: | Ocean,Air |
| порт: | SHANGHAI |
Share:
мадэль №: YZPST-N1132NC300
марка: Yzpst
Supply Type: Other, Original Manufacturer, Odm, Agency
Reference Materials: Other
Configuration: Single
Current-breakdown: Not Applicable
Current-hold (Ih) (maximum): Not Applicable
Current-off State (maximum): Not Applicable
SCR Number, Diode: Not Applicable
Operating Temperature: -40°c ~ 125°c, -40°c ~ 150°c
SCR Type: Sensitive Gate
Structure: Single, Not Applicable
Voltage-on: 7 ~ 9v
Voltage-gate Trigger (Vgt) (maximum): 2.5v
Current-output (maximum): Not Applicable
VRRM: 3000
VDRM: 3000
VRSM: 3100
| Продаж адзінак | : | Others |
| спампаваць | : |
|
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Вытворца электронікі Power Thristors 3000V
YZPST-N1132NC300
Асаблівасці Thyristor 3000V: Interdigitated Amplicific Configuration Gate
. Гарантаваны максімальны час адключэння . Прылада з сабраным ціскам. Уся дыфузная структура. Высокая здольнасць DV/DT
Электрычныя характарыстыкі і рэйтынгі
Блакіроўка - Off State
|
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
|
3000 |
3000 |
3100 |
V rrm = паўтараецца пікавае зваротнае напружанне
V drm = паўтаральны пік напружання стану
V rsm = не паўтараецца пікавае зваротнае напружанне (2)
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 100 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Заўвагі:
Усе рэйтынгі паказаны для TJ = 25 OC, калі не пазначана іншае.
(1) Усе рэйтынгі напружання ўказаны для нанясення сінусоіднай хвалі 50 Гц/60ZHZ над тэмпературным дыяпазонам ад -40 да +125 OC.
(2) 10 мс. Макс. шырыня імпульсу
(3) Максімальнае значэнне для tj = 125 oc.
(4) Мінімальнае значэнне для лінейнага і экспанентнага хвалі да 80% намінальнага VDRM. Адкрыты вароты. TJ = 125 oc.
(5) Не паўторнае значэнне.
(6) Значэнне DI/DT усталёўваецца ў адпаведнасці са стандартам EIA/NIMA RS-397, раздзел 5-2-2-6. Значэнне, вызначанае, будзе ў дадатак да таго, што атрымана з ланцуга UBBER, якая складаецца з кандэнсатара 0,2 F і 20 омсрэзістам паралельна з выпрабаваным трыстарам.
Правядзенне - на дзяржаве
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1132 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
|
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2228 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.3 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
1.02x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
|
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.08 |
|
V |
ITM = 1830 A |
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
|
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Сваяванне
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
Дынамічны
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
|
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
400 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
|
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
Цеплавыя і механічныя характарыстыкі і рэйтынгі
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Mounting force |
F |
19 |
26 |
- |
kN |
|
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
* Мантажныя паверхні гладкія, плоскія і змазаныя
УВАГА: Для абрысаў і памераў справы глядзіце на малюнку контуру справы на старонцы 3 гэтых тэхнічных дадзеных
тэлефон: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
адрас: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
вэб-сайт: https://be.yzpst.com
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Contact Now