дома> прадукты> Прылады Semiconductor Disc (тып капсулы)> Фаза кіравання тырыстарам> Тыпы цэнтральнага ўзмацнення хуткага пераключэння Thyristor DCR1059
Тыпы цэнтральнага ўзмацнення хуткага пераключэння Thyristor DCR1059
Тыпы цэнтральнага ўзмацнення хуткага пераключэння Thyristor DCR1059
Тыпы цэнтральнага ўзмацнення хуткага пераключэння Thyristor DCR1059

Тыпы цэнтральнага ўзмацнення хуткага пераключэння Thyristor DCR1059

Get Latest Price
тып аплаты:L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:FOB,CFR,CIF
транспарт:Ocean,Air
порт:SHANGHAI
Атрыбуты прадукту

мадэль №YZPST-DCR1059

маркаYzpst

Апісанне Прадукта

Кантроль фазы Thyristor з высокай магутнасцю

YZPST-DCR1059


Усе рэйтынгі паказаны для TJ = 25 OC, калі не пазначана іншае.

(1) Усе рэйтынгі напружання ўказаны для нанясення сінусоіднай хвалі 50 Гц/60ZHZ над тэмпературным дыяпазонам ад -40 да +125 OC.

(2) 10 мс. Макс. шырыня імпульсу

(3) Максімальнае значэнне для tj = 125 oc.

(4) Мінімальнае значэнне для лінейнага і экспанентнага хвалі да 80% намінальнага VDRM. Адкрыты вароты. TJ = 125 oc.

(5) Не паўторнае значэнне.

(6) Значэнне DI/DT усталёўваецца ў адпаведнасці са стандартам EIA/NIMA RS-397, раздзел 5-2-2-6. Значэнне, вызначанае, будзе ў дадатку

цыя, атрыманая з спрытнай ланцуга, якая змяшчае кандэнсатар 0,2 F і 20 ом, паралельна з выпрабаваным трыстарам .


Асаблівасці : . Уся дыфузная структура . Цэнтральны ўзмацненне канфігурацыі варот . Блакаванне Capabilty да 2 1 00 вольт

. Гарантаваны максімальны час адключэння . Высокая здольнасць DV/DT . Прылада, сабранае ціскам



HIGH POWER THYRISTOR PHASE CONTROL

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1080

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1700

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.6x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


Электрычныя характарыстыкі і рэйтынгі (працяг)

Сваяванне

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

-

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

350

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

-

 

V

 


Дынамічны

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

50

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* Для гарантаванага максімуму. значэнне, кантактная фабрыка.

Цеплавыя і механічныя характарыстыкі і рэйтынгі

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.025

0.050

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

 

kN

 

Weight

W

 

 

480

g

About



* Мантажныя паверхні гладкія, плоскія і змазаныя


Прэсінг і памеры выпадку

Types of High Current Fast Switching Thyristor DCR1059

 high current fast switching thyristor DCR1059
Гарачыя прадукты
дома> прадукты> Прылады Semiconductor Disc (тып капсулы)> Фаза кіравання тырыстарам> Тыпы цэнтральнага ўзмацнення хуткага пераключэння Thyristor DCR1059
苏ICP备05018286号-1
адправіць запыт
*
*

Мы звяжамся з вамі неадкладна

Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі

Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.

паслаць