Прамая кіраванне фазамі Thyristors DCR1278
Get Latest Priceтып аплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Інкатэрм: | FOB,CFR,CIF |
транспарт: | Ocean,Air |
порт: | SHANGHAI |
тып аплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Інкатэрм: | FOB,CFR,CIF |
транспарт: | Ocean,Air |
порт: | SHANGHAI |
мадэль №: YZPST-DCR1278
марка: Yzpst
Кантроль фазы Thyristor з высокай магутнасцю
Yzpst-dcr1278
Асаблівасці: Высокая здольнасць DV/DT . Блакіроўка Capabilty да 4200 вольт, у цэнтры ўзмацнення канфігурацыі варот, гарантаванага максімальнага часу адвароту, уся рассеяная структура
. Прылада, сабранае ціскам
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1100 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=65oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2000 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
16.4 |
|
KA
KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.35x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
300 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.2 |
|
V |
ITM = 2900 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
100 |
|
A/ms |
Switching from VDRM£ 1000 V |
Электрычныя характарыстыкі і рэйтынгі (працяг)
Сваяванне
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
- |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
- |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 400 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 4.0 -
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
- |
|
V |
|
Дынамічны
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
- |
- |
ms |
ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
- |
- |
ms |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR³ -50 V |
* Для гарантаванага максімуму. значэнне, кантактная фабрыка.
Цеплавыя і механічныя характарыстыкі і рэйтынгі
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
oC/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
oC/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - junction to sink |
RQ (j-s) |
|
0.024 - |
|
oC/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
20 |
24 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
|
* Мантажныя паверхні гладкія, плоскія і змазаныя
Прэсінг і памеры выпадку
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.