YZPST брэнд 12A SBR12A45V фотаэлектрычны дыёд

Name: Фотаэлектрычны дыёд SBR12A45V
Uploaded: 2024-12-09T06:10:12+08:00
Description: Фотаэлектрычны дыёд SBR12A45V

$0.252000-9999 Piece/Pieces

$0.19≥10000Piece/Pieces

Option:

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-SBR12A45V

марка: Yzpst

Тып харчавання: Арыгінальны вытворца

Даведачныя матэрыялы: табліца дадзеных, Фота, іншыя

від: Святлодыёд

Тып пакета: Павярхоўнае мацаванне

Перадача: Не ўжываецца

Q Значэнне ў розных VR і F: Не ўжываецца

Максімальная магутнасць: Не ўжываецца

VRRM: 45V

IFM: 12A

IFSM: 200A

RθJA: 66°C/W

TSTG: -65 to +175°C

VF: 0.49V

IR: 0.12mA

TJ VR ≤ 80% VRRM: -65 to +150°C

TJ DC Forward Mode: ≤200°C

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. БАСА.
Прыклад малюнка	:
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Фотаэлектрычны дыёд SBR12A45V



Апісанне Прадукта

P/N: YZPST-SBR12A45V фотаэлектрычны дыёд

YZPST брэнд 12A SBR12A45V фотаэлектрычны дыёд

YZPST-SBR12A45V Photovoltaic Diode

Спецыфікацыя

Characteristic			Symbols	SBR12A45V	Unit
Maximum repetitive peak reverse voltage			VRRM	45	V
Maximum average forward rectified current			IFM	12	A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave			IFSM	200	A
Typical thermal resistance			RθJA	66	°C/W
Operating Temperature Range		VR ≤ 80% VRRM	TJ	-65 to +150	°C
		DC Forward Mode	TJ	≤200	°C
Storage Temperature Range			TSTG	-65 to +175	°C
Forward Voltage Drop	IF = 12A		VF	0.49	V

Leakage Current			IR	0.12	mA