Працэс пасівацыі шклянога накладу да 247 SCR 1200V

Працэс пасівацыі шклянога накладу да 247 SCR 1200V

Name: Scr yzpst-40tps12
Uploaded: 2024-12-09T06:08:32+08:00
Description: Працэс пасівацыі шклянога накладу да 247 SCR 1200V

$0.751000-9999 Piece/Pieces

$0.55≥10000Piece/Pieces

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Land,Air
порт:	SHANGHAI

Option:

IT (RMS):40A
VDRM / VRRM:1200V
IGT:≤35mA
ITSM:460A
IGM:4A
PGM:5W

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-40TPS12

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

IT (RMS): 40A

VDRM / VRRM: 1200V

IGT: ≤35mA

ITSM: 460A

IGM: 4A

PGM: 5W

PG(AV): 1W

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. Пластыкавая ахоўная ўпакоўка
Прыклад малюнка	:
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Scr yzpst-40tps12



Апісанне Прадукта

Scr yzpst-40tps12

Асаблівасці прадукту

Працэс пасівацыі шклянога стала,

Задняя (анод) электрод метал: Ti-Ni-Ag

Станоўчы (вароты, анод) электрод метал: Al

Асноўныя мэты

Чаргаванне пераключальніка току,

Канвертар электраэнергіі пераменнага току,

Кантроль электрычнага ацяплення

Кантроль хуткасці рухавіка

Пакунак

Да 247 г.

MainFeature (TJ = 25 ℃)

Symbol	Value	Unit
IT (RMS)	40	A
VDRM / VRRM	1200	V
IGT	≤35	mA

Абсалютныя r atings ( абмежавальныя значэнні )

Symbol	Parameter	Value	Unit
IT (RMS)	RMS on-state current (180°conduction angle)	40	A
ITSM	Non repetitive surge peak on-state Current (tp= 10ms)	460	A
IGM	Peak gate current(tp=20us)	4	A
PGM	Peak gate power	5	W
PG(AV)	Average gate power	1	W
Tstg Tj	Storage temperature Operating junction temperature	-40--+ 150 -40--+ 125	℃

Тэрмаі супраціў s

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth (j-c)

Junction to case

TO-247

0.95

℃/W

Характарыстыкі электраэнергіі LTj = 25 ℃, калі не пазначана іншае

Symbol	Test Conditions		Value			Unit
Symbol	Test Conditions		Min	Type	Max	Unit
IGT	VD= 12V, RL=33 Ω		----	-----	35	mA
VGT	VD= 12V, RL=33 Ω		-----	-----	1.5	V
VGD	VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK= 1KΩ,Tj=125℃		0.2	-----	-----	V
H	IT=500mA		-----	-----	75	mA
L	IG= 1.2IGT		-----	-----	150	mA
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		1000	-----	-----	v/ μs
VTM	IT=80A,tp=380 μs		-----	-----	1.6	V
dI/dt	IG=2IGT		50	-----	-----	A/ μs
I2T	Tp= 10ms		-----	-----	1060	A2 S
IDRM	VD=VDRM	Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IDRM	VD=VDRM	Tj=125℃	-----	-----	4	mA
VRRM	VR=VRRM	Tj=25℃	-----	-----	10	μA
VRRM	VR=VRRM	Tj=125℃	-----	-----	4	mA