Высокая цеплавая веласіпедная прадукцыйнасць BT145-800R TO-220 SCR

Desrcription:
Планарны пасіваваны крэмній, які кантралюецца выпрамнік (SCR) у пластычным пакеце TO220, прызначаны для выкарыстання ў прыкладаннях, якія патрабуюць высокай двухнакіраванай здольнасці напружання, высокай магчымасці інрусу і высокай эфектыўнасці цеплавой веласіпеды.
Асаблівасці і перавагі
Кантроль магутнасці пераменнага току
Высокая двухнакіраванае блакаванне напружання
Высокая прадукцыйнасць цеплавой веласіпеды
Планарная пасіваваная для напружання і надзейнасці
Высокая здольнасць працоўнай тэмпературы злучэння (TJ (MAX) = 150 ° C)
Пакет адпавядае патрабаванням гаручасці UL94V0
Пакет адпавядае ROHS
IEC 61000-4-4 Хуткі Transien
Прыкладанне
Ёмістнае выкіднае запальванне (CDI)
Абарона бакоў
Абарона інрушаў
Рухальны кантроль
Рэгуляванне напружання

Высокая здольнасць працоўнай тэмпературы злучэння (TJ (MAX) = 150 ° C)

Хуткі Даведка

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Absolute maximum rating
VRRM	repetitive peak reverse voltage			-	-	800	V
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128 °C;		-	-	25	A
		Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3
ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5		-	-	300	A
		half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms		-	-	330	A
Tj	junction temperature			-	-	150	°C
Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Static characteristics
IGT	gate trigger current	VD     = 12 V; IT   = 0.1 A; Tj    = 25 °C; Fig. 7		1.5	-	15	mA
IH	holding current	VD   =  12 V; Tj    = 25 °C; Fig. 9		-	-	60	mA
VT	on-state voltage	IT   = 30 A; Tj    = 25 °C; Fig.  10		-	1.1	1.5	V
Dynamic characteristics
dVD/dt	rate of rise of off-state voltage	VDM     = 536 V; Tj      =  150  °C;  (VDM     = 67% of VDRM); exponential waveform; gate open circuit		80	-	-	V/μs

Абмежаванне каштоўнасцей

Я н у адпаведнасці з а Абсалютны Максімум Рэйтынг Сістэма ( IEC 60134).

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Max	Unit
VDRM	repetitive peak off-state voltage			-	800	V
VRRM	repetitive peak reverse voltage			-	800	V
IT(AV)	average on-state current	half sine wave; Tmb  ≤ 128°C;		-	16	A
IT(RMS)	RMS on-state current	half sine wave; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3		-	25	A

ITSM	non-repetitive peak on- state current	half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp     = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5		-	300	A
		half sine wave; Tj(init)   = 25 °C; tp    = 8.3 ms		-	330	A
I2t	I2t for fusing	tp    = 10 ms; SIN		-	450	A2s
d IT/dt	rate of rise of on-state current	IG   = 20 mA		-	200	A/μs
IGM	peak gate current			-	5	A
VRGM	peak reverse gate			-	5	V
	voltage
PGM	peak gate power			-	20	W
PG(AV)	average gate power	over any 20 ms period		-	0.5	W
Tstg	storage temperature			-40	150	°C
Tj	junction temperature			-	150	°C

Цеплавыя характарыстыкі

Symbol	Parameter	Conditions		Min	Typ	Max	Unit
Rth(j-mb)	thermal resistance	Fig. 6		-	-	1	K/W
	from junction to
	mounting base
Rth(j-a)	thermal resistance	in free air		-	60	-	K/W
	from junction to
	ambient free air