Двайны модуль Thyristor MTC250A1600V з узмацненнем засаўкі

Двайны модуль Thyristor MTC250A1600V з узмацненнем засаўкі

Get Latest Price

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Air
порт:	SHANGHAI

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

Ўпакоўка і дастаўка

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-MTC250A1600V

марка: Yzpst

Ўпакоўка і дастаўка

Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. Пластыкавая ахоўная ўпакоўка
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Апісанне Прадукта

Двайны тырыстар модуль

YZPST-MTC250A1600V

Модуль апрацоўваецца ў адпаведнасці з патрэбамі кліентаў. Яго можна выкарыстоўваць для кантролю тэмпературы, кіравання рухавіком пастаяннага току і мяккіх стартараў рухавіка. Модуль па -ранейшаму мае мноства функцый, такіх як узмацняючыя вароты ў тырыстары, кантакты ціску каштоўнага металу для высокай надзейнасці і апошняе, але не ў апошнюю чаргу, цеплааддача праз алюмініевы нітрыд керамічнага ізаляванага металічнага асноўнай пласціны.

Двайныя модулі тырыстара

Асаблівасці • Перадача цяпла праз алюмініевы нітрыд керамічнай вылучанай металічнай асноўнай пласцінкай • Кантакты ціску на каштоўныя металы для высокай надзейнасці

• Тырыстар з узмацняючымі варотамі

Тып: MTC250A-1600V Тыповыя прыкладанні • Кіраванне рухавіком пастаяннага току • Пераменны рухавік мяккіх стартараў • Кантроль тэмпературы • Прафесійнае зацямненне святла

Максімальны рэйтынг

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,85° conduction	250	A
I_TRMS	Single phase,half wave,35° conduction	566	A
I_TSM	T_j=125℃	8000	A
I²t	T_j=125℃	320	kA²S
V_DRM/V_RRM		1800/1800	V
di/dt	non-repetitive	250	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-40 ~ + 125	℃
T_stg		-40 ~ + 125	℃
W		-	g

Электрычныя характарыстыкі

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125℃	85	mA
V_TM	On-State Current 750A,T_j=25℃	1.4	V
V_T(TO)	T_j=125℃	0.925	V
t_gd	T_j=25℃	1	us
t_q	T_j=125℃	50-150	us
I_GT/V_GT	T_j=25℃	200 / 3	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=125℃	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_H	T_j=25℃	150	mA
I_L	T_j=25℃	300	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.07	K/W