Модуль DC DC DC DC Thyristor модуль разумны

Модуль DC DC DC DC Thyristor модуль разумны

Get Latest Price

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Air
порт:	SHANGHAI

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

Ўпакоўка і дастаўка

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-MTC250A1600V-1

марка: Yzpst

Ўпакоўка і дастаўка

Тып пакета

1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. Пластыкавая ахоўная ўпакоўка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Апісанне Прадукта

Двайны тырыстар модуль

YZPST-MTC250A1600V-1

Модуль апрацоўваецца ў адпаведнасці з патрэбамі кліентаў. Яго можна выкарыстоўваць для кантролю тэмпературы, кіравання рухавіком пастаяннага току і мяккіх стартараў рухавіка. Модуль па -ранейшаму мае мноства функцый, такіх як узмацняючыя вароты ў тырыстары, кантакты ціску каштоўнага металу для высокай надзейнасці і апошняе, але не ў апошнюю чаргу, цеплааддача праз алюмініевы нітрыд керамічнага ізаляванага металічнага асноўнай пласціны.

Падвойныя тырыстары модулі кантролю тэмпературы DC DC модуль Thyristor модуль SMART

Асаблівасці • Перадача цяпла праз алюмініевы нітрыд керамічнай вылучанай металічнай асноўнай пласцінкай • Кантакты ціску на каштоўныя металы для высокай надзейнасці

• Тырыстар з узмацняючымі варотамі

Тып: MTC250A-1600V Тыповыя прыкладанні • Кіраванне рухавіком пастаяннага току • Пераменны рухавік мяккіх стартараў • Кантроль тэмпературы • Прафесійнае зацямненне святла

Максімальны рэйтынг

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,85° conduction	250	A
I_TRMS	Single phase,half wave,35° conduction	566	A
I_TSM	T_j=125℃	8000	A
I²t	T_j=125℃	320	kA²S
V_DRM/V_RRM		1800/1800	V
di/dt	non-repetitive	250	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-40 ~ + 125	℃
T_stg		-40 ~ + 125	℃
W		-	g

Электрычныя характарыстыкі

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125℃	85	mA
V_TM	On-State Current 750A,T_j=25℃	1.4	V
V_T(TO)	T_j=125℃	0.925	V
t_gd	T_j=25℃	1	us
t_q	T_j=125℃	50-150	us
I_GT/V_GT	T_j=25℃	200 / 3	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=125℃	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_H	T_j=25℃	150	mA
I_L	T_j=25℃	300	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.07	K/W