Модуль Thyristor 150A, які падыходзіць для нізкага напружання, 3 -фазавых выпраўленых ужыванняў

Модуль Thyristor 150A, які падыходзіць для нізкага напружання, 3 -фазавых выпраўленых ужыванняў

$2550-199 Piece/Pieces

$18≥200Piece/Pieces

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Land
порт:	SHANGHAI

Option:

IT(AV)：150A
ITRMS:230A
ITSM:3000A
I2t:38kA2S
VDRM/VRRM:400/400V

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-PWA-150A06

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

IT(AV): 150A

ITRMS: 230A

ITSM: 3000A

I2t: 38kA2S

VDRM/VRRM: 400/400V

Di/dt: 100A/us

Viso: 3000V

Tj: -30 ~ + 150℃

Tstg: -30 ~ + 125℃

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. БАСА.
Прыклад малюнка	:
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Модуль Thyristor PWA-150A06



Апісанне Прадукта

Модулі Thyristor Тып: YZPST-PWA150SA-4

Гэты прадукт уяўляе сабой модуль Thyristor, які падыходзіць для нізкага напружання, 3 -фазавых выпраўленняў.

· Гэта (AV) 150A (кожная прылада)
· Высокі перанапружанне току 3000 А (60 Гц)
· Лёгкае будаўніцтва
· Неізаляваны. Мантажная аснова як агульны анодны тэрмінал
Прыкладанне
· Зварачны блок харчавання
· Розныя электразабеспячэнне пастаяннага току

Максімальны рэйтынг

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,180° conduction, T_C=116°C	150	A
I_TRMS	Single phase,half wave,180° conduction, T_C=116°C	230	A
I_TSM	T_j=150°C	3000	A
I²t	T_j=150°C	38	kA²S
V_DRM/V_RRM		400/400	V
di/dt	non-repetitive	100	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-30 ~ + 150	°C
T_stg		-30 ~ + 125	°C
W	approximate	250	g

Электрычныя характарыстыкі

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=150°C	40	mA
V_TM	On-State Current 450A,T_j=150°C	1.2	V
V_T(TO)	T_j=150°C	-	V
t_gd	T_j=25°C	-	us
t_q	T_j=150°C	-	us
I_GT/V_GT	T_j=25°C	100 / 3.0	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=150°C	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	200	V/us
I_H	T_j=25°C	-	mA
I_L	T_j=25°C	-	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.15	°C/W