Аддалены перамыкач Triacs BTB25

Get Latest Price

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-BTB25

марка: Yzpst

Апісанне Прадукта

Bta/b 25 serise triacs

Yzpst- btb25

█ Функцыя

◆ Трэцяя структура трыгера сенсіціну квадранта,

Лепшы матч за здольнасць да зносін і адчувальнасць да варот.

◆ Дыфузія і шкляная пасіваваная тэхналогія.

Пераканайцеся, што надзейнасць і аднастайнасць спецыфікацыі.

◆ Параўнайце спецыфікацыю засаўкі ў выглядзе патрабавання высокай тэмпературы.

█ Асноўнае прыкладанне

◆ Выключальнік пральнай машыны для пыласоса Dimmer.Remote.

◆ Абсталяванне Conrtol Motor Conrtol.

◆ Пераключэнне індуктыўнай нагрузкі.

█ Нарыс і масіў штыфта

Да 220

█ Значэнне хуткасці (калі толькі спецыяльныя шоў, TJ = 25 ℃)

Description	symbol	value	unit
Repetitive paek off-state voltage (Tj= −40 ~125℃) Half sine wave 50Hz, gate open -600	VDRM VRRM	600 600	V
Nominal RMS on-state current Full sine wave 50 Hz	IT(RMS)	25	A
Non-repetitive peak surge current (junction temperature Tj =25℃) One cycle 50 Hz	ITSM	250	A
Fuse current (t = 8.3 ms)	I²t	340	A²s
Gate average power (T_C=80℃, t = 8.3 ms)	PG(AV)	1	W
Gate peak current (t≤2.0μs)	IGM	4	A
Work junction temperature	TJ	-40~125	℃
Storage temperature	Tstg	-40~150	℃

█ Цеплавыя характарыстыкі

Description	Symbol	Max	Unit
Thermal resistance ( junction to arround )	R_{j A}	60	°C/W

█ Выбарныя характарыстыкі (калі толькі спецыяльныя шоў t _j = 25 ℃ )

Description	Symbol	Min	Type	Max	Unit
Repetitive paek off-state current (VD = Rated VDRM,VRRM gate open ) Tj = 125℃	I_DRM, I_RRM	−	−	3	mA
Peak on-state Voltage (IT =25A)	V_T	−	1.45	1.65	V
Gate trigger current (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -CW MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -BW	I_GT	− − − − − −	− − − − − −	35 35 35 50 50 50	mA
Gate trigger voltage (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) All serises	V_GT	− − −	− − −	1.3 1.3 1.3	V
Gate non-trigger voltage (VD = VDR, RL =3.3KΩ,Tj =125℃) All serises	V_GD	0.2	−	−	V
Hold current (Candution current IT=100mA)	I_H	−	−	75	mA