Хуткае пераключэнне 1500V N-канала MOSFET

$2.65100-999 Piece/Pieces

$2.15≥1000Piece/Pieces

Option:

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-QM3N150C

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

Vdss: 1500V

ID Continuous (Tc = 25 °C ): 3A

ID Continuous ( Tc = 100 °C ): 1.8A

Idm: 12A

EAS: 225mJ

Dv/dt: 5V/ns

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. Пластыкавая ахоўная ўпакоўка
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Апісанне Прадукта

1500 В N-канала MOSFET

YZPST-QM3N150C

Агульнае апісанне

Гэтая магутнасць MOSFET вырабляецца з выкарыстаннем Advanced

самастойна выраўнаваныя плоскія тэхналогіі. Гэта прасунулася

Тэхналогія была асабліва з улікам мінімізацыі

Устойлівасць да стану, забяспечце цудоўнае пераключэнне

прадукцыйнасць і вытрымлівае імпульс высокай энергіі ў

рэжым лавіны і камутацыі.

Гэтыя прылады можна выкарыстоўваць у розных пераключэннях магутнасці

Схема для сістэмнай мініяцюрызацыі і больш высокай эфектыўнасці.

Рысы

3A, 1500V, RD5 (ON) TYP. = 50@vgs = 10 V ld = 1.5a

Нізкі зарад засаў (тыповы 37NC)

Нізкая ёмістасць зваротнай перадачы (тыповая2.8pf)

Хуткае пераключэнне

100% лавінная тэставанне

YZPST-QM3N150C(4)

Абсалютны максімальны рэйтынг TC = 25 кюнлаў у адваротным выпадку адзначана

Symbol	Parameter		YZPST-QM3N150C	Units
Voss	Drain-Source Voltage		1500	V
lo	Drain Current	Continuous(Tc=25℃)	3	A
lo	Drain Current	Continuous(Tc=100℃)	1.8	A
loM	Drain Current - Pulsed (Note 1)		12	A
VGss	Gate-Source Voltage		±30	V
EAS	Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)		225	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)		5	V/ns
Po	Power Dissipation(Tc=25℃)		32	W
T,Tsts	Operating anc Storage Temperature Range		-55 to+150	℃
Tt	Maximum lead temperature for soldering purposes 1/8" frome case for 5 seconds		300	℃