FF600R17ME4 600B170E53 1700V IGBT Power Module

Name: Yzpst-ff600r17me4
Uploaded: 2024-12-09T06:16:03+08:00
Description: Yzpst-ff600r17me4

$15110-19 Piece/Pieces

$121≥20Piece/Pieces

Option:

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-FF600R17ME4 (600B170E53)

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

VCES: 1700V

IC: 600A

ICRM: 1200A

VGES: ±20V

Ptot: 4286W

ICES: 1.0mA

Ўпакоўка і дастаўка

Продаж адзінак	:	Piece/Pieces
Тып пакета	:	1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. БАСА.
Прыклад малюнка	:
спампаваць	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Yzpst-ff600r17me4



Апісанне Прадукта

P/N: YZPST-600B170E53 (YZPST-FF600R17ME4)

Прыкладанне

Інвертар для рухальнага прывада

AC і пастаянны сервопринажвы прывад узмацняльніка

UPS (бесперабойныя харчаванне)

Рысы

Нізкі VCE (SAT) з тэхналогіяй SPT+ IGBT

VCE (SAT) з станоўчым каэфіцыентам тэмпературы

У тым ліку хуткае і мяккае аднаўленне антыпаралельнага FWD

Высокая здольнасць кароткага замыкання (10US)

Структура модуля нізкай індуктыўнасці

Максімальная тэмпература злучэння 175 ℃

Абсалютны максімальны рэйтынг

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage	VCES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃	1700	V
Continuous Collector Current	IC	Tc=100℃	600	A
Peak Collector Current	ICRM	ICRM =2IC	1200	A
Gate-Emitter Voltage	VGES	Tvj=25℃	±20	V
Total Power Dissipation (IGBT-inverter)	Ptot	Tc=25℃ Tvjmax=175℃	4286	W

Характарыстыкі IGBT

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate-emitter Threshold Voltage	VGE(th)	VGE=VCE, IC =24mA,Tvj=25℃	5.4	6.2	7.4	V
Collector-Emitter Cut-off Current	ICES	VCE=1700V,VGE=0V, Tvj=25℃			1	mA
		Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃		2.4	2.75	V
		Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃		2.8		V
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=600A,VGE=15V, Tvj=150℃		2.9		V
Input Capacitance	Cies			40		nF
Output Capacitance	Coes			2.09		nF
Reverse Transfer Capacitance	Cres	VCE=25V,VGE =0V, f=1MHz, Tvj=25℃		1.44		nF
Turn-on Delay Time	td(on)			180		ns
Rise Time	tr			100		ns
Turn-off Delay Time	td(off)			300		ns
Fall Time	tf	IC =600 A		100		ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=25℃		150		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff			100		mJ
Turn-on Delay Time	td(on)			190		ns
Rise Time	tr			110		ns
Turn-off Delay Time	td(off)			350		ns
Fall Time	tf	IC =600 A		150		ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=125℃		225		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff			160		mJ