Scr Transistor Power Transistor Кошт з вялікай цаной

Scr Transistor Power Transistor Кошт з вялікай цаной

Get Latest Price

тып аплаты:	L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:	FOB,CFR,CIF
транспарт:	Ocean,Air
порт:	Shanghai

Звяжыцеся прама цяпер

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

Ўпакоўка і дастаўка

Апісанне Прадукта

Атрыбуты прадукту

мадэль №: YZPST-1690-TO-247S

марка: Yzpst

Ўпакоўка і дастаўка

Тып пакета

1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. Пластыкавая ахоўная ўпакоўка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Апісанне Прадукта

PST1690 SERS

YZPST-1690-247S

D e scri p ti o n:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f si l acon c o n rec t i f iers, w ith h i g hb i l ity т о Дасціп H St An D T h e S h o ck l o a d i n g o f lar g e c u r r en t, p ro v ide H I G H D V / D T расцэнка w ith s t r on g супрацьстаяць CE да e lec t r o m a g ne tic i n t e r f e re n c e . Th e y a re e s p e cialy rec o mm en d e d f o r выкарыстанне o n s o l i d st a te rela y , mo t o rc y cle, po w e r c ha r g e r , T - t oo ls e tc

Scr Transistor Power Transistor Кошт з вялікай цаной

A b s o l u te Ma x i mu m R a tings

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E l e c trical Ch a r a cteri s tics ( T j = 25 ℃ u n менш o t h e r w ise s pe ci f i e d )

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs