$0.0310000-99999 Piece/Pieces
$0.02≥100000Piece/Pieces
| тып аплаты: | L/C,T/T,Paypal |
| Інкатэрм: | FOB,CFR,CIF |
| транспарт: | Ocean,Land,Others |
| порт: | SHANGHAI |
Share:
мадэль №: YZPST-BD140-16
марка: Yzpst
прымяненне: Мікрафон, Не ўжываецца
Supply Type: Original Manufacturer, Odm, Other
Reference Materials: Datasheet, Photo, Other
Тып пакета: Павярхоўнае мацаванне
Installation Method: Through Hole, Not Applicable
FET Function: Not Applicable
Configuration: Not Applicable
VCBO: -80V
VCEO: -80V
VEBO: -5V
IC: -1.5A
IB: -0.5A
Ptot: 12.5W
Tj: 150℃
Tstg: -55~150℃
| Продаж адзінак | : | Piece/Pieces |
| Тып пакета | : | 1. Антыэлектрастатычная ўпакоўка 2. Кардовая скрынка 3. БАСА. |
| спампаваць | : |
|
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
PNP Silicon Transistor
YZPST-BD140-16
Да-126 BD140-16-гэта крэмнійныя эпітаксіальныя планарныя транзістары PNP Дапаўняльныя тыпы NPN-гэта BD139-16
Апісанне
BD140-16-гэта крамянёвыя эпітаксіальныя планарныя транзістары PNP
у пластычным пакеце Jedec to-126, прызначаны для аўдыё
узмацняльнікі і драйверы, якія выкарыстоўваюць дадатковыя або квазі
камплектацыйныя схемы.
Дадатковыя тыпы NPN-BD139-16
Абсалютны максімальны рэйтынг ( Так = 25 o c)
|
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
|
Collector-Base Voltage |
VCBO |
-80 |
V |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
-80 |
V |
|
Emitter-Base Voltage |
VEBO |
-5.0 |
V |
|
Collector Current |
IC |
-1.5 |
A |
|
Base Current |
IB |
-0.5 |
A |
|
Total Dissipation at |
Ptot |
12.5 |
W |
|
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
150 |
oC |
|
Storage Temperature |
Tstg |
-55~150 |
oC |
Электрычныя характарыстыкі (Ta = 25 O C)
| Parameter | Symbol | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Collector Cut-off Current | ICBO | VCB = -80V, IE = 0 | -10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Emitter Cut-off Current | IEBO | |||||
| VEB = -5.0V, IC = 0 | -10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Collector-Emitter Sustaining Voltage | IC = -1.0mA, IB = 0 | -80 | — | — | V | |
| VCE = -2.0V, IC = -0.15A | 100 | 250 | ||||
| DC Current Gain | hFE | |||||
| VCE = -2.0V, IC = -0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Collector-Emitter Saturation Voltage | IC = -0.5A, IB = -0.05A | -0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Base-Emitter Voltage | IC = -0.5A, VCE = -2.0V | -1 | V | |||
| fT | ||||||
| Transition Frequency | VCE = -5.0V,IC = -50mA | 80 | MHz |
тэлефон: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
адрас: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
вэб-сайт: https://be.yzpst.com
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Contact Now