дома> прадукты> Прылады Semiconductor Disc (тып капсулы)> Фаза кіравання тырыстарам> Westcode Thyristor Power Controller 1200V з CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V з CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V з CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V з CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V з CE
Westcode Thyristor Power Controller 1200V з CE

Westcode Thyristor Power Controller 1200V з CE

Get Latest Price
тып аплаты:L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:FOB,CFR,CIF
транспарт:Ocean,Air
порт:Shanghai
Атрыбуты прадукту

мадэль №YZPST-R220CH12FJO

маркаYzpst

Апісанне Прадукта



Шматфункцыянальны хуткае пераключэнне тырыстара

Yzpst-r220ch12fjo

Высокая магутнасць Thyristor для кантролю фаз 1200V з CE


Асаблівасці пераключэння Thyristor заключаецца ў тым, што прадукт мае ўсе рассеяныя структуры, міжрэгітаваны ўзмацненне канфігурацыі засаўкі, максімальны час адвароту Guranteed, высокая здольнасць DV/DT і прыладу, сабранае ціскам.



Электрычныя характарыстыкі і рэйтынгі


Блакіроўка - Off State

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

Vrrm = паўтараецца пікавае зваротнае напружанне

Vdrm = паўтаральны пік напружання стану

Vrsm = не паўтараецца пікавае зваротнае напружанне (2)




Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Заўвагі:

Усе рэйтынгі паказаны для TJ = 25 OC, калі не пазначана іншае.

(1) Усе рэйтынгі напружання ўказаны для прыкладу

50 Гц/60ZHZ сінусоідальная форма над

Дыяпазон тэмпературы ад -40 да +125 oc.

(2) 10 мс. Макс. шырыня імпульсу

(3) Максімальнае значэнне для tj = 125 oc.

(4) Мінімальнае значэнне для лінейнага і экспанентнага хвалі да 80% намінальнага VDRM. Адкрыты вароты. TJ = 125 oc.

(5) Не паўторнае значэнне.

(6) Значэнне DI/DT усталёўваецца ў адпаведнасці са стандартам EIA/NIMA RS-397, раздзел 5-2-2-6. Значэнне, вызначанае, будзе ў дадатак да таго, што атрымана з ланцуга UBBER, якая складаецца з кандэнсатара 0,2 F і 20 омсрэзістам паралельна з выпрабаваным трыстарам.


Правядзенне - на дзяржаве

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

964

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1971

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.4

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

442x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.96

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Сваяванне

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Дынамічны

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

25

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

Цеплавыя і механічныя характарыстыкі і рэйтынгі

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Мантажныя паверхні гладкія, плоскія і змазаныя

УВАГА: Для абрысаў і памераў справы глядзіце на малюнку контуру справы на старонцы 3 гэтых тэхнічных дадзеных



Падрабязныя выявы


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-R220CH12FJO

Гарачыя прадукты
苏ICP备05018286号-1
адправіць запыт
*
*

Мы звяжамся з вамі неадкладна

Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі

Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.

паслаць