дома> прадукты> Прылады Semiconductor Disc (тып капсулы)> Фаза кіравання тырыстарам> KP800A Disc Thyristor 1800V
KP800A Disc Thyristor 1800V
KP800A Disc Thyristor 1800V
KP800A Disc Thyristor 1800V
KP800A Disc Thyristor 1800V

KP800A Disc Thyristor 1800V

Get Latest Price
тып аплаты:L/C,T/T,Paypal
Інкатэрм:FOB,CFR,CIF
транспарт:Ocean,Air
порт:Shanghai
Атрыбуты прадукту

мадэль №YZPST-KP800A 1800V

маркаYzpst

Апісанне Прадукта

Фаза кіравання тырыстарам

YZPST-KP800A1800V


Кантроль фаз Thyristor 1900V шырока выкарыстоўваецца ва ўсіх відах электроннага абсталявання і электронных прадуктаў. Ён выкарыстоўваецца для кіраванага выпрамніка, інвертара, пераўтварэння частоты, рэгулявання напружання і бескантактавага перамыкача. Кантролер часу, прылада для цацак, бесправадны пульт дыстанцыйнага кіравання, камера і прылада тырыстара шырока выкарыстоўваецца ў прамысловым кіраванні і г.д.



Thyristor

Ratings

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V EQ \F(RSM,DSM)

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1900

V

V EQ \F(RRM,DRM)

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1800

V

VT

On-state voltage

IT=1500 A

TJ = 25°C

 

 

1.70

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

800

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

2214

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

 

K/W

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

 

K/W

RthJK

thermal resistance junction to heatsink

 

 

 

 

0.032

K/W

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

12.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

806

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= ⅔VDRM

repetitive

 

 

500

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= ⅔VDRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

1000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

3.0

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

300

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

 

A

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

2.5

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM

TJ = 150°C

 

200

400

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

125

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

-40

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

10

 

20

kN

Нарыс малюнка

Phase Control Thyristor




Гарачыя прадукты
苏ICP备05018286号-1
адправіць запыт
*
*

Мы звяжамся з вамі неадкладна

Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі

Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.

паслаць